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改善掩膜板关键尺寸趋势的方法

2019-10-25

  掩膜板工艺是半导体制造中的一个重要流程,也称光罩工艺。掩膜板工艺除了应用于 晶圆制造外,还广泛应用于液晶显示器、印刷电路板等等制造上面。

  对于传统的二进制强度掩膜板,掩膜板的制造方法一般包括如下步骤:

  首先对客户需要的原始图形进行数据转换步骤,将转换的曝光数据输入曝光装置内;提供一片镀有不透光铬金属膜的石英基板(统称“基片”);在基片上镀光刻胶;根据图形数据,利用曝光装置对基片进行曝光,形成曝光图形;进行显影步骤,如果使用的是正光刻胶,感光部分的光刻胶在此步骤被移除,同时将曝光图形转移到不透光铬金属膜上;利用干法蚀刻对不透光的铬金属膜进行蚀刻步骤,将具有曝光图形的铬金属膜移除;将光刻胶移除。

  一般情况下,曝光步骤的趋近效应是由于曝光电子在光刻胶层的散射所造成的效 应,散射电子等效于微微增加了曝光能量,从而会使临近的图形尺寸变大。趋近效应和图形 密度相关,掩膜板图形密度越不均勻,趋近效应越明显。

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