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掩膜板处理固化方法介绍

2019-10-03

  在半导体制造中,光刻工艺是最重要的步骤之一,光刻确定了半导体器件的关键尺寸。光刻工艺主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备,当掩膜板存在缺陷时,掩膜板的缺陷会在光刻工艺中转移到硅片上,最终可转化为对半导体器件的电特性产生影响,所以掩膜板的质量需要严格的控制。

  在现有技术中,在掩膜板上制备出图形后,需要将掩膜板放到紫外光下用紫外光照射,从而使掩膜板固化。但图形化的掩膜板在紫外光固化前往往会存在一些缺陷,该缺陷在紫外光下会发生化学反应,发生化学反应的缺陷时无法通过湿法刻蚀的方法去除的。所以,一旦图形化的掩膜板在紫外光固化前存在缺陷,该存在缺陷的掩膜板只能报废,然而掩膜板的成本很高,报废掩膜板就会造成极大的浪费。 因此,如何提供一种掩膜板固化方法,使得固化后的固化掩膜板上的缺陷能够轻易去除,已成为本领域技术人员需要解决的问题。

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